Nas últimas décadas o silício, componente essencial de chips eletrônicos, tem ficado cada vez mais escasso. Desde a pandemia, o uso de aparelhos eletrônicos no mundo inteiro tem crescido exponencialmente, juntamente com a demanda de fabricação destes dispositivos, tornando assim o silício gradativamente mais caro, surgindo a tão falada crise do silício. Para contornar essa crise, a proposta do projeto parte do princípio de tentar encontrar outro material que possa substituir o silício na indústria de transistores, e, ao mesmo tempo, ajudar o meio ambiente. Desta forma o projeto tem como objetivo principal a construção de um transistor funcional a base de grafeno e do resíduo industrial de pentóxido de vanádio (V2O5), que possa ser uma alternativa aos transistores de silício na indústria eletrônica. Uma amostra de resíduo industrial de V2O5 foi obtida e caracterizada por meio da composição química a partir da técnica de Fluorescência de Raios X (FRX), onde determinou-se como componentes majoritários o SiO2, SO₃ e V2O5 respectivamente. Em seguida, foram preparadas 3 amostras, sendo elas: Amostra 1 (Controle): 10 g de cobre em pó; Amostra 2: 9 de cobre e 1 g de resíduo; Amostra 3: 7 g de cobre e 3 g de resíduo. As amostras foram queimadas a 1200°C. Posteriormente, foram realizados testes de resistividade elétrica. Os resultados mostraram que a queima não foi satisfatória, pois resultou na oxidação do material, o que fora verificado a partir de uma análise de difratometria de raios X dos produtos. Mesmo assim, o resultado foi aproveitado, e a resistividade elétrica apresentou valores médios de 29kΩ (Amostra 1 – 100% CuO) e 59kΩ (Amostra 2 – 90% CuO). Sendo assim, as próximas etapas do projeto consistem na confecção de 3 protótipos independentes de transistores (um com grafeno, outro com V2O5 e o terceiro um híbrido de ambos os materiais) os quais serão comparados durante a prototipação para que, por último, aquele com o melhor desempenho e custo-benefício seja escolhido como o transistor final do projeto, criando assim uma alternativa inovadora ao silício. Palavras-chave: Transistores; Resíduos industriais; Pentóxido de vanádio; Grafeno;